30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF3708L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF3708L is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- 100% tested for R_DS(on)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.