30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF3707ZL is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF3707ZL is a N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 8.5mΩ @ V_GS = 10V  
  - 10mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 65nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 530pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® MOSFET technology  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-220 (Through-hole)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.