30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3707ZCS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ (single pulse)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)** – Surface-mount package  

### **Description:**  
The IRF3707ZCS is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current handling capability**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.