HEXFET Power MOSFET The IRF3707SPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ (single pulse)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Mounting Type:** Surface Mount  
- **Number of Pins:** 3  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF3707SPBF.