30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3707PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF3707PBF is a N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 7.3mΩ (at V_GS = 10V)  
  - 9.0mΩ (at V_GS = 4.5V)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-hole mounting)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.