20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3706S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 6.0mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ) at V_DS = 15V, V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  

### **Description:**  
The IRF3706S is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-263 (D2PAK) package for efficient thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.