20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3704Z is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 57A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Power Dissipation (P_D):** 79W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 4.5mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 28A)  
  - 5.5mΩ (at V_GS = 4.5V, I_D = 20A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 42nC (at V_DS = 10V, I_D = 28A, V_GS = 10V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF3704Z is a **N-channel** power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features **low on-resistance (R_DS(on))** and **fast switching speeds**, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current handling capability** (57A continuous)  
- **Fast switching performance**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **TO-220AB package** for easy mounting  

This information is sourced from the official Infineon IRF3704Z datasheet.