20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3704STRRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (max) at V_GS = 10V, I_D = 70A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** Advanced HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF3704STRRPBF.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package