20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3704 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
- The IRF3704 is an N-channel power MOSFET designed for high-current, low-voltage applications.  
- It is optimized for high efficiency in switching applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable operation.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.