N-Channel Power MOSFETs/ 15A/ 350V/400V The IRF351 is a power MOSFET manufactured by Harris Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Harris Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 350V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF351 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability (350V)  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy rated  
- Low thermal resistance  
- TO-3 metal can package for efficient heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.