150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3415STRL is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures predictable performance in switching applications.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.