150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3415S is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 43A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 170A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (at V_GS = 10V, I_D = 20A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRF3415S is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is housed in a TO-263 (D2PAK) package for improved thermal performance.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Low Gate Charge** for fast switching.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliability in high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.