55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak Package The IRF3205ZS is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF3205ZS  

### **Description:**  
The IRF3205ZS is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 146nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for high efficiency  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.