55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB Package The IRF3205ZPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRF3205ZPBF  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Mounting Type:** Through Hole  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Low on-resistance and high current capability.  
- **Dynamic dv/dt Rating:** High performance in switching applications.  
- **Fully Avalanche Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current applications.  

(End of factual information.)