55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 Package The IRF3205ZLPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRF3205ZLPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Descriptions:**
- The IRF3205ZLPBF is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance in DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  
- The device features a robust silicon design with low gate charge and high avalanche energy capability.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 110A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.