55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3205SPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies**  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides low on-resistance and high switching performance.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-efficiency power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive switching.  
- **Fully Characterized Dynamic dv/dt Rating:** Ensures reliable performance in high-speed switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly component.  
- **Package:** TO-263-3 (D2PAK), surface-mount design for efficient thermal dissipation.  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Supplies  
- Automotive Systems  
- High-Current Switching Circuits  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRF3205SPBF.