55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF3205S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 146nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF3205S is a high-current, low-on-resistance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low voltage drive and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Provides low on-resistance and high current handling.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under transient conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF3205S.