55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF3205L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 390A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 146nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 520pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.1J  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF3205L is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for high-efficiency switching in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- The device features a rugged design with high avalanche energy capability.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 110A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.