N-Channel Power MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 V The IRF320 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)** (now part of Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
- **IRF320**  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-power switching applications, including motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 63nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package with three leads: Gate, Drain, Source)  

### **Features:**  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 30A continuous current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Can be driven with standard logic-level signals when properly biased.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

N-Channel Power MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 V