N-Channel Power MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 V The IRF320 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)** (now part of Infineon Technologies)  
### **Part Number:**  
- **IRF320**  
### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-power switching applications, including motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.085Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate Charge (Qg):** 63nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 30ns (typical)  
### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-hole package with three leads: Gate, Drain, Source)  
### **Features:**  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 30A continuous current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Low Gate Drive Requirements:** Can be driven with standard logic-level signals when properly biased.  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.