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IRF3007PBF from IR,International Rectifier

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IRF3007PBF

Manufacturer: IR

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF3007PBF IR 6000 In Stock

Description and Introduction

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3007PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF3007PBF  

### **Description:**  
The IRF3007PBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.0095Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Total Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Avalanche Energy (EAS):** 1.5J  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Qg):** 110nC (typical)  
- **Low Input Capacitance (Ciss):** 3600pF (typical)  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-current switching circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF3007PBF VISHAY 10 In Stock

Description and Introduction

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3007PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRF3007PBF  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.0095Ω (max at VGS = 10V, ID = 37A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns  
- **Rise Time (tr):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns  
- **Fall Time (tf):** 30ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRF3007PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-power circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability (75A continuous)  
- Fast switching performance  
- Robust and reliable TO-220AB package  
- Suitable for high-efficiency power conversion applications  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.

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