75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF3007L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 82A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.009Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 55ns  
- **Rise Time (tr):** 45ns  
- **Fall Time (tf):** 30ns  
### **Description:**  
The IRF3007L is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable design  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.