75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF3007 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRF3007 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high current handling capabilities.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.009Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 130nC (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.1J  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for high efficiency  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Rugged and reliable design  
- 100% avalanche tested  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-hole package)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-frequency inverters  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package