300V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF3000 is a power MOSFET manufactured by QUALCMM. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** QUALCMM  
- **Part Number:** IRF3000  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions & Features:**  
- The IRF3000 is a high-voltage, high-current N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) for efficient power handling.  
- Suitable for high-frequency switching due to fast switching characteristics.  
- Robust construction ensures reliability in demanding environments.  
- Commonly used in power supplies, motor control, and inverters.  

This information is based strictly on the provided knowledge base. No additional interpretations or recommendations are included.

300V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package