POWER MOSFET The IRF2N60 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (STC). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The IRF2N60 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, fast-switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching speeds.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in inductive load applications.  
- **Low On-Resistance:** Improves conduction efficiency.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  
- **100% Rg and UIS Tested:** Ensured quality and ruggedness.  

This information is based on STMicroelectronics' official datasheet for the IRF2N60.

POWER MOSFET The IRF2N60 is a power MOSFET manufactured by Suntac. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF2N60 is an N-channel MOSFET designed for high-voltage switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, inverters, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  
- The device is housed in a TO-220 package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 600V drain-source voltage.  
- **Fast Switching:** Optimized for efficient switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Ensures reduced switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

POWER MOSFET The IRF2N60 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF2N60 is an N-channel MOSFET designed for high-voltage switching applications. It is commonly used in power supplies, inverters, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Low thermal resistance**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

The device is available in a TO-220 package for efficient heat dissipation.  

Would you like additional details on any specific parameter?

POWER MOSFET The IRF2N60 is a power MOSFET manufactured by IITRRS. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF2N60 is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, fast-switching applications. It is commonly used in power supplies, inverters, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V drain-source voltage rating  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load applications  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces switching losses  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal performance  

This information is strictly based on the provided knowledge base.