75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF2907ZPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF2907ZPBF  

### **Specifications:**  
- **Technology:** Power MOSFET (HEXFET)  
- **Polarity:** P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -74A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -280A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.0095Ω (max at V_GS = -10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 170pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 19ns  
- **Rise Time (t_r):** 55ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRF2907ZPBF is a high-current P-Channel HEXFET power MOSFET designed for low on-resistance and high-speed switching applications.  
- It is optimized for applications such as power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on effects.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.