75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2Pak Package The IRF2807ZSTRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 82A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- Optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Robust and reliable performance in harsh environments.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRF2807ZSTRLPBF.