75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF2807ZPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 82A at 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W at 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- **Package:** TO-262 (D²PAK)  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching in applications such as motor control, DC-DC converters, and power supplies.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage transients.  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications requiring high current handling and efficient power management.