75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF2807Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 82A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.1J (tested)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D²PAK)  

### **Description:**  
The IRF2807Z is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

For detailed application information, refer to the official IR datasheet.