75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF2807S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications (IRF2807S):**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 82A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.009Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRF2807S is a high-performance N-channel MOSFET designed for high-current, low-voltage applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Key Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 82A continuous current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for rugged performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF2807S.