IRF2807..

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF2807 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF2807  

### **Description:**  
The IRF2807 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 82A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 350pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 52ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  

### **Package Type:**  
TO-220AB  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Improved dv/dt capability  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package