55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF2805L is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 7.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 350pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 560mJ  

### **Description:**  
The IRF2805L is a high-current, low-on-resistance N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for use in motor control, power supplies, DC-DC converters, and other high-performance switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 110A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching performance.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in high-energy transient conditions.  
- **TO-262 Package (D²PAK):** Suitable for surface-mount applications with good thermal performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.