40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF2804LPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 2.0mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 270pF  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF2804LPBF is a high-current, low-on-resistance N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low voltage drive and high-speed switching.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 75A continuous current.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-262 (D2PAK) Package:** Provides efficient thermal performance.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.