40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF2804L is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.0mΩ @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 170nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF2804L is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It is optimized for high-efficiency switching in automotive, industrial, and power supply systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **High Current Handling Capability** (75A continuous, 300A pulsed)  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.