40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF2804 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF2804  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.0 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.1J  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for high efficiency  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Improved dv/dt capability  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Automotive systems  
- High-current switching applications  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet.

40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package