N-CHANNEL POWER MOSFET The IRF242 is a power MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
- The IRF242 is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **High Voltage Rating:** Suitable for 200V applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal dissipation.  

These details are based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.