20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF1902TRPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRF1902TRPBF  

### **Description:**  
The IRF1902TRPBF is a N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Switching Speed:** Fast switching with low gate charge  

### **Package:**  
- **Type:** D2PAK (TO-263)  
- **Termination:** Surface Mount (SMD)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved thermal performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power supplies  
- Battery management systems  
- High-efficiency switching circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.