20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package The IRF1902TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (Infineon)  
- **Part Number:** IRF1902TR  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 84A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 330A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) – 2.0V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current, low-voltage applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For exact datasheet details, refer to the official Infineon documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package