30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1503S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 150A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 600A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 400pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 40ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRF1503S is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 150A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.