30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1503 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:
### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDSS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 42A (continuous at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 160A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-to-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.04Ω (max at VGS = 10V, ID = 21A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 13ns (typical)  
- **Rise Time (tr):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (tf):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  
### **Description:**
The IRF1503 is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in DC-DC converters, motor control, and other power management systems.
### **Features:**
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for high-frequency operation  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Suitable for linear and switching applications  
This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRF1503.