55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1405ZS is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRF1405ZS  

### **Description:**  
The IRF1405ZS is an N-channel Power MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 169A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 84A)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.1J (tested)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® MOSFET technology  
- Low gate charge for fast switching  
- Low thermal resistance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-263 (D2PAK)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.