55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 7-Lead D2-Pak package The IRF1405ZS-7P is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Part Number:**  
IRF1405ZS-7P  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 169A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 146nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 170pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 48ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
TO-263-7 (D2PAK-7)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® Power MOSFET technology  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- High-current DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Synchronous rectification  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.