55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1405S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 169A (@ 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (@ 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (@ V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRF1405S is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is commonly used in DC-DC converters, motor control, and high-efficiency power supplies.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable design  
- Suitable for automotive and industrial applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1405S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 169A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 17ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Description:**  
The IRF1405S is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge  
- High current handling capability  
- Low thermal resistance  
- Avalanche ruggedness  
- 100% tested for R_DS(on)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package