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IRF1405S from

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15.625ms

IRF1405S

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF1405S 50 In Stock

Description and Introduction

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1405S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 169A (@ 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 680A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 330W (@ 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 5.3mΩ (@ VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**  
The IRF1405S is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is commonly used in DC-DC converters, motor control, and high-efficiency power supplies.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Robust and reliable design  
- Suitable for automotive and industrial applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRF1405S IR 4800 In Stock

Description and Introduction

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1405S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 169A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 680A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 300W @ 25°C  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 5.3mΩ @ VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 17ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns  
- **Rise Time (tr):** 60ns  
- **Fall Time (tf):** 30ns  

### **Description:**  
The IRF1405S is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge  
- High current handling capability  
- Low thermal resistance  
- Avalanche ruggedness  
- 100% tested for RDS(on)  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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