55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1405PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF1405PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-current and high-voltage applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 169A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for high efficiency  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching capability  
- High current handling  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-hole)  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching applications.