55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRF1405L is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 169A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.3mΩ @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 210nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 250pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.1J  

### **Description:**  
The IRF1405L is a high-current, low-on-resistance N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is optimized for low-voltage, high-current operations, making it suitable for motor control, DC-DC converters, and power management systems.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology for low conduction losses  
- Low thermal resistance for improved power handling  
- Fast switching speed for high-frequency applications  
- Robust and reliable performance in harsh environments  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.