55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF1405 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 169A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 680A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5.3 mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4300 pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100 pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 350 pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRF1405 is a high-current N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high-speed switching performance.  
- Suitable for motor control, power supplies, DC-DC converters, and other high-power applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching speed.  
- Rugged and reliable design.  
- Avalanche energy specified for improved robustness.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.