80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1312STRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF1312STRLPBF is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring high current handling and low on-resistance. It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and other high-efficiency systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package