80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1312S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Package:**  
- **TO-220AB**  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **High Current Handling Capability**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1312S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Rise Time (t_r):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
The IRF1312S is a high-performance N-channel power MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise application details, refer to the official documentation.