100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1310NSTRL is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 104A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 9.3mΩ (at V_GS = 10V, I_D = 52A)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC (at V_DS = 50V, I_D = 104A, V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRF1310NSTRL is a **N-channel** Power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Advanced Process Technology** for low R_DS(on)  
- **High Current Handling Capability** (104A continuous)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **TO-262 (D²PAK) Package** for efficient thermal performance  

This information is sourced from the manufacturer's official datasheet. For detailed application guidelines, refer to Infineon's documentation.