100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1310NS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 104A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 1.1J  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF1310NS is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low R_DS(on)** for improved efficiency  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package