20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF1302S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRF1302S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **High current capability** (30A continuous)  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **TO-263 (D2PAK) package** for improved thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package